Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Выпускается в металлостеклянном или пластиковом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1 г.

 

Параметры транзистора КТ399

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ399А		BSW30, 2N2857, 2N5031, MRF5031HX *1, MRF5031HXV *1, 2N6597, 2N6598
		КТ399АМ		2SC988B, 2SC1789, CD9018D *2
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ399А	55 °C	150	мВт
		КТ399АМ	55 °C	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ399А	—	≥1800	МГц
		КТ399АМ	—	≥1800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ399А	—	15**	В
		КТ399АМ	—	15**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ399А	—	3	В
		КТ399АМ	—	3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ399А	—	20(40*)	мА
		КТ399АМ	—	30(60*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ399А	15 В	≤0.5	мкА
		КТ399АМ	15 В	≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ399А	1 В; 5 мА	≥40*
		КТ382Б	1 В; 5 мА	≥40*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ399А	5 В	≤1.7	пФ
		КТ399АМ	5 В	≤1.7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ399А	400 МГц	≥11.5**	Ом, дБ
		КТ399А(М)	400 МГц	≥11.5**
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ399А	400 МГц	≤2	Дб, Ом, Вт
		КТ399АМ	400 МГц	≤2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ399А	—	≤8	пс
		КТ399АМ	—	≤8

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов