Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ502

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ502А		KSA539R, 2N1257 *1, PN4248 *2, ВС315 *2, 2N1255 *1, ВС250
		КТ502Б		KSA5390, PN4248, 2N2946 *1, 2SA1211 *1, 2N1258 *1, 2N2945A *3
		КТ502В		KSA5450, 2N3910 *1, 2N3913 *1, JE9215, JE9215A, KSA539
		КТ502Г		KSA539Y, MM4008 *1, 2N6223, JE9215C, JE9215B, 2SA561R, 2N3840 *3, 2SA937AP *1, 2SA937AMP *1, 2SA937AM *1, 2SA937A *1, 2SA1561АР *1, 2SA1561A *1, 2SA1547АР *1, 2SA1547A *1, 2SA545
		КТ502Д		KSA545R, ST4341 *3, BFS91 *1, ТР3060, 2N3060 *1
		КТ502Е		BSS68, BF397, 2N3062 *3
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ502А	—	350	мВт
		КТ502Б	—	350
		КТ502В	—	350
		КТ502Г	—	350
		КТ502Д	—	350
		КТ502Е	—	350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ502А	—	5…50	МГц
		КТ502Б	—	5…50
		КТ502В	—	5…50
		КТ502Г	—	5…50
		КТ502Д	—	5…50
		КТ502Е	—	5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ502А	—	40	В
		КТ502Б	—	40
		КТ502В	—	60
		КТ502Г	—	60
		КТ502Д	—	80
		КТ502Е	—	90
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ502А	—	5	В
		КТ502Б	—	5
		КТ502В	—	5
		КТ502Г	—	5
		КТ502Д	—	5
		КТ502Е	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ502А	—	150(300*)	мА
		КТ502Б	—	150(300*)
		КТ502В	—	150(300*)
		КТ502Г	—	150(300*)
		КТ502Д	—	150(300*)
		КТ502Е	—	150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ502А	40 В	≤1	мкА
		КТ502Б	40 В	≤1
		КТ502В	60 В	≤1
		КТ502Г	60 В	≤1
		КТ502Д	80 В	≤1
		КТ502Е	90 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ502А	1 В; 30 мА	40…120
		КТ502Б	1 В; 30 мА	80…240
		КТ502В	1 В; 30 мА	40…120
		КТ502Г	1 В; 30 мА	80…240
		КТ502Д	1 В; 30 мА	40…120
		КТ502Е	1 В; 30 мА	40…120
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ502А	10 В	≤50	пФ
		КТ502Б	10 В	≤50
		КТ502В	10 В	≤50
		КТ502Г	10 В	≤50
		КТ502Д	10 В	≤50
		КТ502Е	10 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ502А	—	≤60	Ом, дБ
		КТ502Б	—	≤60
		КТ502В	—	≤60
		КТ502Г	—	≤60
		КТ502Д	—	≤60
		КТ502Е	—	≤60
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ502А	—	≤320*	Дб, Ом, Вт
		КТ502Б	—	≤320*
		КТ502В	—	≤320*
		КТ502Г	—	≤320*
		КТ502Д	—	≤320*
		КТ502Е	—	≤320*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ502А	—	—	пс
		КТ502Б	—	—
		КТ502В	—	—
		КТ502Г	—	—
		КТ502Д	—	—
		КТ502Е	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов