Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ503

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ503А		KSC815, KSD2270, MPS9632,  2N772 *3, 2N1386 *1, MPS6511 *2,  ВС170 *3, 2SC2407, 2N2711 *3,  2N5852 *3, MPS6567, CK420 *3,  2N621 *3, ММ1941 *3, 2N1051 *3
		КТ503Б		MPS2712, KST1623L3 *1,  2SC828 *2, MPS3397,  MPS3398, 2N3398 *3,  2N3397 *3, 2N3394 *3, CS9014 *2, 2N2712 *1
		КТ503В		KSC853R, 2N339A *1,  2N742 *3, 2N742A *3,  2SC1360A *2, 2N844 *3,  2N754 *3, JE9214, JE9214A,  2N840 *3, 40246 *3, 40243 *3,  2N551 *3
		КТ503Г		KSC853R, 2N6222, JE9214C,  JE9214B,  BFY85 *3,  2N1704 *3, 2N841 *3, 2SC828A *2, 2N5824 *2, ММ2483 *3, 2SC853
		КТ503Д		KSC853R, 2N2198 *1, 2N3877 *2, 2N1565 *3, 2N735A *3, 2N735 *3
		КТ503Е		BSS38, ZTX341, 2N340A *1, 2N3877A *2, 2N845 *3, 2N755 *3
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ503А	—	350	мВт
		КТ503Б	—	350
		КТ503В	—	350
		КТ503Г	—	350
		КТ503Д	—	350
		КТ503Е	—	350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ503А	—	5…50	МГц
		КТ503Б	—	5…50
		КТ503В	—	5…50
		КТ503Г	—	5…50
		КТ503Д	—	5…50
		КТ503Е	—	5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ503А	—	40	В
		КТ503Б	—	40
		КТ503В	—	60
		КТ503Г	—	60
		КТ503Д	—	80
		КТ503Е	—	100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ503А	—	5	В
		КТ503Б	—	5
		КТ503В	—	5
		КТ503Г	—	5
		КТ503Д	—	5
		КТ503Е	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ503А	—	150(300*)	мА
		КТ503Б	—	150(300*)
		КТ503В	—	150(300*)
		КТ503Г	—	150(300*)
		КТ503Д	—	150(300*)
		КТ503Е	—	150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ503А	40 В	≤1	мкА
		КТ503Б	40 В	≤1
		КТ503В	60 В	≤1
		КТ503Г	60 В	≤1
		КТ503Д	80 В	≤1
		КТ503Е	100 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ503А	1 В; 30 мА	40…120
		КТ503Б	1 В; 30 мА	80…240
		КТ503В	1 В; 30 мА	40…120
		КТ503Г	1 В; 30 мА	80…240
		КТ503Д	1 В; 30 мА	40…120
		КТ503Е	1 В; 30 мА	40…120
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ503А	10 В	≤50	пФ
		КТ503Б	10 В	≤50
		КТ503В	10 В	≤50
		КТ503Г	10 В	≤50
		КТ503Д	10 В	≤50
		КТ503Е	10 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ503А	—	≤60	Ом, дБ
		КТ503Б	—	≤60
		КТ503В	—	≤60
		КТ503Г	—	≤60
		КТ503Д	—	≤60
		КТ503Е	—	≤60
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ503А	—	≤580*	Дб, Ом, Вт
		КТ503Б	—	≤580*
		КТ503В	—	≤580*
		КТ503Г	—	≤580*
		КТ503Д	—	≤580*
		КТ503Е	—	≤580*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ503А	—	—	пс
		КТ503Б	—	—
		КТ503В	—	—
		КТ503Г	—	—
		КТ503Д	—	—
		КТ503Е	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.