Транзистор КТ504

Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506
Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506

 

Параметры транзисторов КТ504
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ504А 2N3439, 2N5663, 

2N5092, 40321S, 2N6723 *1
КТ504Б 2N2727, 2N6721 *1, 2SD158 *3
КТ504В 2N3440, STI305 *3, 2N6722 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ504А — 1(10*) Вт
КТ504Б — 1(10*)
КТ504В — 1(10*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ504А — ≥20 МГц
КТ504Б — ≥20
КТ504В — ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ504А — 400; 350* В
КТ504Б 0.1к 200*
КТ504В 0.1к 275*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ504А — 6 В
КТ504Б — 6
КТ504В — 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ504А — 1(2*) А
КТ504Б — 1(2*)
КТ504В — 1(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ504А 400 В ≤100 мкА
КТ504Б 250 В ≤100
КТ504В 300 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ504А 5 В; 0.5 А 15…100*
КТ504Б 5 В; 0.5 А 15…100*
КТ504В 5 В; 0.5 А 15…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ504А 10 В ≤30
 пФ
КТ504Б 10 В ≤30
КТ504В 10 В ≤30
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ504А — ≤2 Ом, дБ
КТ504Б — ≤2
КТ504В — ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ504А — — Дб, Ом, Вт
КТ504Б — —
КТ504В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ504А — ≤2700* пс
КТ504Б — ≤2700*
КТ504В — ≤2700*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.