Транзистор КТ505

Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506
Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506

 

Параметры транзисторов КТ505
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ505А 2N5416, MJ4646, 2N5282, 

TRLP3005S *1, TRLP3005 *1

TRSP3015 *1, TRLP2755S *1

TRSP2755 *1, TRSP2755S *1

TRLP2505S *1, TRSP2505S *1

КТ505Б BFT19A, BFT28C, TRLP2505 *1, ММ4003, TRSP2505 *1BFT28C, BFT19A, 

TRLP2255S *1, TRSP2255S *1

TRSP2255 *1, TRSP4931 *1, 2N5415S, MJ5415, 2N5415, 

TRLP2005 *1, BFT28B, ММ4002, 

SK307 *2, ST5415

Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ505А 1(5*) Вт
КТ505Б 1(5*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ505А ≥20 МГц
КТ505Б ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ505А 0.1к 300* В
КТ505Б 0.1к 250*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ505А 5 В
КТ505Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ505А 1(2*) А
КТ505Б 1(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ505А 300 В ≤100 мкА
КТ505Б 250 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ505А 5 В; 0.5 А 25…140*
КТ505Б 5 В; 0.5 А 25…140*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ505А 5 В ≤70
пФ
КТ505Б 5 В ≤70
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ505А ≤3.6 Ом, дБ
КТ505Б ≤3.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ505А Дб, Ом, Вт
КТ505Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ505А ≤2600* пс
КТ505Б ≤2600*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.