Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ506А | BUX54, STIP805 *1, 2N5013 *1, SPT5503 *1, SML5503, STIP705 *1, MST70B *1, 2N5012 *3, SML5502 *2, MSP75A *1, MSP65A *1 | |||
КТ506Б | UPT315, BUX84, STIP605 *1, MST60B *3, 2N5011 *3, TRS6015LC *3, STI605 *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ506А | — | 0.8(10*) | Вт |
КТ506Б | — | 0.8(10*) | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ506А | — | ≥10 | МГц |
КТ506Б | — | ≥10 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ506А | — | 800 | В |
КТ506Б | — | 600 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ506А | — | 5 | В |
КТ506Б | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ506А | — | 2(5*) | А |
КТ506Б | — | 2(5*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ506А | 600 В | ≤200 | мкА |
КТ506Б | 600 В | ≤200 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ506А | 5 В; 0.3 А | 30…150* | |
КТ506Б | 5 В; 0.3 А | 30…150* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ506А | 5 В | ≤40 |
пФ |
КТ506Б | 5 В | ≤40 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ506А | — | ≤2 | Ом, дБ |
КТ506Б | — | ≤2 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ506А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ506Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ506А | — | ≤1560* | пс |
КТ506Б | — | ≤1560* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: