Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ602АМ | BFS99 *3, BF411 *3, 2N2517 *3, BSS64 *3 | |||
КТ602Б | BSY79 *3, BSX21 *3 | ||||
КТ602БМ | 2SD668, FSX51WF | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ602А | — | 0.85(2.8*) | Вт |
КТ602Б | — | 0.85(2.8*) | |||
КТ602В | — | 0.85(2.8*) | |||
КТ602Г | — | 0.85(2.8*) | |||
КТ602АМ | — | 0.85(2.8*) | |||
КТ602БМ | — | 0.85(2.8*) | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ602А | — | ≥150 | МГц |
КТ602Б | — | ≥150 | |||
КТ602В | — | ≥150 | |||
КТ602Г | — | ≥150 | |||
КТ602АМ | — | ≥150 | |||
КТ602БМ | — | ≥150 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ602А | — | 120 | В |
КТ602Б | — | 120 | |||
КТ602В | — | 80 | |||
КТ602Г | — | 80 | |||
КТ602АМ | — | 120 | |||
КТ602БМ | — | 120 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ602А | — | 5 | В |
КТ602Б | — | 5 | |||
КТ602В | — | 5 | |||
КТ602Г | — | 5 | |||
КТ602АМ | — | 5 | |||
КТ602БМ | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ602А | — | 75(500*) | мА |
КТ602Б | — | 75(500*) | |||
КТ602В | — | 75(300*) | |||
КТ602Г | — | 75(300*) | |||
КТ602АМ | — | 75(500*) | |||
КТ602БМ | — | 75(300*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ602А | 120 В | ≤70 | мкА |
КТ602Б | 120 В | ≤70 | |||
КТ602В | 80 В | ≤70 | |||
КТ602Г | 80 В | ≤70 | |||
КТ602АМ | 120 В | ≤70 | |||
КТ602БМ | 120 В | ≤70 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ602А | 10 В; 10 мА | 20…80 | |
КТ602Б | 10 В; 10 мА | ≥50 | |||
КТ602В | 10 В; 10 мА | 15…80 | |||
КТ602Г | 10 В; 10 мА | ≥50 | |||
КТ602АМ | 10 В; 10 мА | 20…80 | |||
КТ602БМ | 10 В; 10 мА | ≥50 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ602А | 50 В | ≤4 |
пФ |
КТ602Б | 50 В | ≤4 | |||
КТ602В | 50 В | ≤4 | |||
КТ602Г | 50 В | ≤4 | |||
КТ602АМ | 50 В | ≤4 | |||
КТ602БМ | 50 В | ≤4 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ602А | — | ≤60 | Ом, дБ |
КТ602Б | — | ≤60 | |||
КТ602В | — | ≤60 | |||
КТ602Г | — | ≤60 | |||
КТ602АМ | — | ≤60 | |||
КТ602БМ | — | ≤60 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ602А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ602Б | — | — | |||
КТ602В | — | — | |||
КТ602Г | — | — | |||
КТ602АМ | — | — | |||
КТ602БМ | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ602А | — | ≤300 | пс |
КТ602Б | — | ≤300 | |||
КТ602В | — | ≤300 | |||
КТ602Г | — | ≤300 | |||
КТ602АМ | — | ≤300 | |||
КТ602БМ | — | ≤300 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: