Транзистор КТ605

Цоколевка транзистора КТ605
Цоколевка транзистора КТ605

 

Параметры транзистора КТ605
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ605А 2N4927 *3, BF298 *3, BF299 *3, BF297 *3
КТ605Б ST420 *3, ММ420 *3, BF298W2 *3, 2N6219 *3, BF292 *1, 2SD662 *1, 2N6220 *3, MH7302 *3
КТ605БМ 2SC1573
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ605А 100 °С 0.4 Вт
КТ605Б 100 °С 0.4
КТ605АМ 100 °С 0.4
КТ605БМ 100 °С 0.4
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ605А — ≥40 МГц
КТ605Б — ≥40
КТ605АМ — ≥40
КТ605БМ — ≥40
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ605А — 300 В
КТ605Б — 300
КТ605АМ — 300
КТ605БМ — 300
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ605А — 5 В
КТ605Б — 5
КТ605АМ — 5
КТ605БМ — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ605А — 100(200*) мА
КТ605Б — 100(200*)
КТ605АМ — 100(200*)
КТ605БМ — 100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ605А 250 В ≤50* мкА
КТ605Б 250 В ≤50*
КТ605АМ 250 В ≤20*
КТ605БМ 250 В ≤20*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ605А 40 В; 20 мА 10…40*
КТ605Б 40 В; 20 мА 30…120*
КТ605АМ 40 В; 20 мА 10…40*
КТ605БМ 40 В; 20 мА 30…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ605А 40 В ≤7
 пФ
КТ605Б 40 В ≤7
КТ605АМ 40 В ≤7
КТ605БМ 40 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ605А — ≤400 Ом, дБ
КТ605Б — ≤400
КТ605АМ — ≤400
КТ605БМ — ≤400
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ605А — — Дб, Ом, Вт
КТ605Б — —
КТ605АМ — —
КТ605БМ — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ605А — ≤250 пс
КТ605Б — ≤250
КТ605АМ — ≤250
КТ605БМ — ≤250

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.