Транзистор КТ611

Цоколевка транзистора КТ611
Цоколевка транзистора КТ611

 

Параметры транзистора КТ611
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ611А BF297 *1
КТ611АМ BF297 *1
КТ611Б TRS160 *3, BF336 *3, CX703 *3, TIS100 *3, TRS180 *3
КТ611БМ TRS160 *3, BF336 *3, CX703 *3, TIS100 *3, TRS180 *3, BF457 *2
КТ611В 2N3114 *1
КТ611Г SL305 *1, 2N3923 *1, BF117 *3, TRS140 *3, BFY43 *1, BC285 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ611А — 0.8(3*) Вт
КТ611Б — 0.8(3*)
КТ611В — 0.8(3*)
КТ611Г — 0.8(3*)
КТ611АМ — 0.8(3*)
КТ611БМ — 0.8(3*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ611А — ≥60 МГц
КТ611Б — ≥60
КТ611В — ≥60
КТ611Г — ≥60
КТ611АМ — ≥60
КТ611БМ — ≥60
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ611А — 200 В
КТ611Б — 200
КТ611В — 180
КТ611Г — 180
КТ611АМ — 200
КТ611БМ — 200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ611А — 3 В
КТ611Б — 3
КТ611В — 3
КТ611Г — 3
КТ611АМ — 4
КТ611БМ — 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ611А — 100 мА
КТ611Б — 100
КТ611В — 100
КТ611Г — 100
КТ611АМ 100
КТ611БМ 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ611А 180 В ≤200 мкА
КТ611Б 180 В ≤200
КТ611В 150 В ≤100
КТ611Г 150 В ≤100
КТ611АМ 180 В ≤100
КТ611БМ 180 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ611А 40 В; 20 мА 10…40*
КТ611Б 40 В; 20 мА 30…120*
КТ611В 40 В; 20 мА 10…40*
КТ611Г 40 В; 20 мА 30…120*
КТ611АМ 40 В; 20 мА 10…40*
КТ611БМ 40 В; 20 мА 30…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ611А 40 В ≤5
 пФ
КТ611Б 40 В ≤5
КТ611В 40 В ≤5
КТ611Г 40 В ≤5
КТ611АМ 40 В ≤5
КТ611БМ 40 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ611А — ≤400 Ом, дБ
КТ611Б — ≤400
КТ611В — ≤400
КТ611Г — ≤400
КТ611АМ — ≤400
КТ611БМ — ≤400
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ611А — — Дб, Ом, Вт
КТ611Б — —
КТ611В — —
КТ611Г — —
КТ611АМ — —
КТ611БМ — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ611А — ≤200 пс
КТ611Б — ≤200
КТ611В — ≤200
КТ611Г — ≤200
КТ611АМ — ≤200
КТ611БМ — ≤200

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.