
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ6114А | JE8050, SS8050, CL066 *2, JE8050B, C066P *3, C066 *2 | |||
КТ6114Б | JE8050C | ||||
КТ6114В | JE8050D | ||||
КТ6114Г | 2SD471 *1, MPS6601 *2, BSX75 *3, BSX72 *3 | ||||
КТ6114Д | 2SD1021M *1, 2SD1021J *1, 2SD1021 *1, JC338-16, XSC1447C *2, JC338 | ||||
КТ6114Е | 2SD1447D *2, 2SD1021H *1, JC338-25 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ6114А | — | 1 | Вт |
КТ6114Б | — | 1 | |||
КТ6114В | — | 1 | |||
КТ6114Г | — | 0.7 | |||
КТ6114Д | — | 0.7 | |||
КТ6114Е | — | 0.7 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ6114А | — | 100 | МГц |
КТ6114Б | — | 100 | |||
КТ6114В | — | 100 | |||
КТ6114Г | — | 100 | |||
КТ6114Д | — | 100 | |||
КТ6114Е | — | 100 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ6114А | — | 40 | В |
КТ6114Б | — | 40 | |||
КТ6114В | — | 40 | |||
КТ6114Г | — | 40 | |||
КТ6114Д | — | 40 | |||
КТ6114Е | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ6114А | — | 6 | В |
КТ6114Б | — | 6 | |||
КТ6114В | — | 6 | |||
КТ6114Г | — | 6 | |||
КТ6114Д | — | 6 | |||
КТ6114Е | — | 6 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ6114А | — | 1500 | мА |
КТ6114Б | — | 1500 | |||
КТ6114В | — | 1500 | |||
КТ6114Г | — | 1100 | |||
КТ6114Д | — | 1100 | |||
КТ6114Е | — | 1100 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ6114А | — | ≤0.1 | мкА |
КТ6114Б | — | ≤0.1 | |||
КТ6114В | — | ≤0.1 | |||
КТ6114Г | — | ≤0.1 | |||
КТ6114Д | — | ≤0.1 | |||
КТ6114Е | — | ≤0.1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ6114А | — | 85…160 | |
КТ6114Б | — | 120…200 | |||
КТ6114В | — | 160…300 | |||
КТ6114Г | — | 85…160 | |||
КТ6114Д | — | 120…200 | |||
КТ6114Е | — | 160…300 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ6114А | — | — |
пФ |
КТ6114Б | — | — | |||
КТ6114В | — | — | |||
КТ6114Г | — | — | |||
КТ6114Д | — | — | |||
КТ6114Е | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ6114А | — | — | Ом, дБ |
КТ6114Б | — | — | |||
КТ6114В | — | — | |||
КТ6114Г | — | — | |||
КТ6114Д | — | — | |||
КТ6114Е | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ6114А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ6114Б | — | — | |||
КТ6114В | — | — | |||
КТ6114Г | — | — | |||
КТ6114Д | — | — | |||
КТ6114Е | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ6114А | — | — | пс |
КТ6114Б | — | — | |||
КТ6114В | — | — | |||
КТ6114Г | — | — | |||
КТ6114Д | — | — | |||
КТ6114Е | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: