| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ6115А | SS8550, JE8550B | |||
| КТ6115Б | JE8550C | ||||
| КТ6115В | JE8550D | ||||
| КТ6115Г | KSB564A, 2SB564 *1, KSB811, KSB798 *1 | ||||
| КТ6115Д | 2SB1035C, JC328, KSB798 *1 | ||||
| КТ6115Е | 2SA890 *2 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ6115А | — | 1 | Вт |
| КТ6115Б | — | 1 | |||
| КТ6115В | — | 1 | |||
| КТ6115Г | — | 1 | |||
| КТ6115Д | — | 1 | |||
| КТ6115Е | — | 1 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ6115А | — | 100 | МГц |
| КТ6115Б | — | 100 | |||
| КТ6115В | — | 100 | |||
| КТ6115Г | — | 100 | |||
| КТ6115Д | — | 100 | |||
| КТ6115Е | — | 100 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ6115А | — | 40 | В |
| КТ6115Б | — | 40 | |||
| КТ6115В | — | 40 | |||
| КТ6115Г | — | 40 | |||
| КТ6115Д | — | 40 | |||
| КТ6115Е | — | 40 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ6115А | — | 6 | В |
| КТ6115Б | — | 6 | |||
| КТ6115В | — | 6 | |||
| КТ6115Г | — | 6 | |||
| КТ6115Д | — | 6 | |||
| КТ6115Е | — | 6 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ6115А | — | 1500 | мА |
| КТ6115Б | — | 1500 | |||
| КТ6115В | — | 1500 | |||
| КТ6115Г | — | 1100 | |||
| КТ6115Д | — | 1100 | |||
| КТ6115Е | — | 1100 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ6115А | — | ≤0.1 | мкА |
| КТ6115Б | — | ≤0.1 | |||
| КТ6115В | — | ≤0.1 | |||
| КТ6115Г | — | ≤0.1 | |||
| КТ6115Д | — | ≤0.1 | |||
| КТ6115Е | — | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ6115А | — | 85…160 | |
| КТ6115Б | — | 120…200 | |||
| КТ6115В | — | 160…300 | |||
| КТ6115Г | — | 85…160 | |||
| КТ6115Д | — | 120…200 | |||
| КТ6115Е | — | 160…300 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ6115А | — | — |
пФ |
| КТ6115Б | — | — | |||
| КТ6115В | — | — | |||
| КТ6115Г | — | — | |||
| КТ6115Д | — | — | |||
| КТ6115Е | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ6115А | — | — | Ом, дБ |
| КТ6115Б | — | — | |||
| КТ6115В | — | — | |||
| КТ6115Г | — | — | |||
| КТ6115Д | — | — | |||
| КТ6115Е | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ6115А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ6115Б | — | — | |||
| КТ6115В | — | — | |||
| КТ6115Г | — | — | |||
| КТ6115Д | — | — | |||
| КТ6115Е | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ6115А | — | — | пс |
| КТ6115Б | — | — | |||
| КТ6115В | — | — | |||
| КТ6115Г | — | — | |||
| КТ6115Д | — | — | |||
| КТ6115Е | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: