Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ626А | DTL3505 *1, ВСХ10 *3, BDB02A *1, DTL3513 *3 | |||
КТ626Б | DTL3502 *3, DTL3510 *3, BDB02B *3 | ||||
КТ626В | TIP62B *3, TIP62A *3 | ||||
КТ626Г | 2N5583 *3 | ||||
КТ626Д | 2N5583 *3, 2N5583LP *3 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ626А | 60 °C | 6.5 | Вт |
КТ626Б | 60 °C | 6.5 | |||
КТ626В | 60 °C | 6.5 | |||
КТ626Г | 60 °C | 6.5 | |||
КТ626Д | 60 °C | 6.5 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ626А | — | ≥75 | МГц |
КТ626Б | — | ≥75 | |||
КТ626В | — | ≥45 | |||
КТ626Г | — | ≥45 | |||
КТ626Д | — | ≥45 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ626А | — | 45 | В |
КТ626Б | — | 60 | |||
КТ626В | — | 80 | |||
КТ626Г | 0.1к | 20* | |||
КТ626Д | 0.1к | 20* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ626А | — | 4 | В |
КТ626Б | — | 4 | |||
КТ626В | — | 4 | |||
КТ626Г | — | 4 | |||
КТ626Д | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ626А | — | 500(1500*) | мА |
КТ626Б | — | 500(1500*) | |||
КТ626В | — | 500(1500*) | |||
КТ626Г | — | 500(1500*) | |||
КТ626Д | — | 500(1500*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ626А | 30 В | ≤10 | мкА |
КТ626Б | 30 В | ≤150 | |||
КТ626В | 80 В | ≤1000 | |||
КТ626Г | 20 В | ≤150 | |||
КТ626Д | 20 В | ≤150 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ626А | 2 В; 0.15 А | 40…260* | |
КТ626Б | 2 В; 0.15 А | 30…100* | |||
КТ626В | 2 В; 0.15 А | 15…45* | |||
КТ626Г | 2 В; 0.15 А | 15…60* | |||
КТ626Д | 2 В; 0.15 А | 40…250* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ626А | 10 В | ≤150 |
пФ |
КТ626Б | 10 В | ≤150 | |||
КТ626В | 10 В | ≤150 | |||
КТ626Г | 10 В | ≤150 | |||
КТ626Д | 10 В | ≤150 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ626А | — | ≤2 | Ом, дБ |
КТ626Б | — | ≤2 | |||
КТ626В | — | ≤2 | |||
КТ626Г | — | ≤2 | |||
КТ626Д | — | ≤2 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ626А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ626Б | — | — | |||
КТ626В | — | — | |||
КТ626Г | — | — | |||
КТ626Д | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ626А | — | ≤500 | пс |
КТ626Б | — | ≤500 | |||
КТ626В | — | ≤500 | |||
КТ626Г | — | ≤500 | |||
КТ626Д | — | ≤500 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: