| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ632Б | 2N3494, MM3497HXV *3, MM3497HX *3, 2N3496 | |||
| КТ632Б-1 | 2SA1433E *2, 2SA1433, 2SA1433D | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ632Б | 45 °C | 0.5 | Вт |
| КТ632Б-1 | 40 °C | 0.35 | |||
| КТ632В-1 | 40 °C | 0.35 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ632Б | — | ≥200 | МГц |
| КТ632Б-1 | — | ≥200 | |||
| КТ632В-1 | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ632Б | 1к | 120* | В |
| КТ632Б-1 | 1к | 120* | |||
| КТ632В-1 | 1к | 120* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ632Б | — | 5 | В |
| КТ632Б-1 | — | 5 | |||
| КТ632В-1 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ632Б | — | 100(350*) | мА |
| КТ632Б-1 | — | 100(350*) | |||
| КТ632В-1 | — | 100(350*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ632Б | 120 В | ≤1 | мкА |
| КТ632Б-1 | 120 В | ≤1 | |||
| КТ632В-1 | 120 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ632Б | 1 В; 1 мА | ≥50 | |
| КТ632Б-1 | 1 В; 1 мА | 50…350 | |||
| КТ632В-1 | 10 В; 1 мА | 150…450 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ632Б | 20 В | ≤5 |
пФ |
| КТ632Б-1 | 20 В | ≤5 | |||
| КТ632В-1 | 20 В | ≤5 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ632Б | — | ≤25 | Ом, дБ |
| КТ632Б-1 | — | ≤25 | |||
| КТ632В-1 | — | ≤25 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ632Б | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ632Б-1 | — | — | |||
| КТ632В-1 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ632Б | — | ≤100 | пс |
| КТ632Б-1 | — | ≤100 | |||
| КТ632В-1 | — | 2000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: