Транзистор КТ635

Цоколевка транзистора КТ635
Цоколевка транзистора КТ635

 

Параметры транзистора КТ635
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ635Б 2SC502 *2, BSW27, 2N3326, ВС377 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ635А — 0.5 Вт
КТ635Б — 0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ635А — ≥200 МГц
КТ635Б — ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ635А — 60 В
КТ635Б — 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ635А — 5 В
КТ635Б — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ635А — 1000(1200*) мА
КТ635Б — 1000(1200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ635А 60 В ≤30 мкА
КТ635Б 60 В ≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ635А 1 В; 0.5 А 25…150*
КТ635Б 1 В; 0.5 А 20…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ635А 10 В ≤15
 пФ
КТ635Б 10 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ635А — ≤1 Ом, дБ
КТ635Б — ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ635А — — Дб, Ом, Вт
КТ635Б — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ635А — ≤58;60** пс
КТ635Б — ≤58;60**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.