Транзистор КТ638

Цоколевка транзистора КТ638
Цоколевка транзистора КТ638

 

Параметры транзисторов КТ638
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ638А SG251 *1, SG241 *3, 2N5174 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ638А — 0.5 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ638А — ≥200 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ638А — 110 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ638А — 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ638А — 100(350*) мА
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ638А 110 В ≤100 мкА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ638А 1 В; 10 мА 50…350
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ638А 20 В ≤8
 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ638А — ≤25 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ638А — — Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ638А — ≤25(1*мкс) пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.