Транзистор КТ644

 

Цоколевка транзистора КТ644
Цоколевка транзистора КТ644

 

Параметры транзистора КТ644
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ644А TN4030 *3, TN2904A *3, SK9115 *3, D41D7 *1, 2N3468S *3, D41D4 *3, ММ4032 *1, 2N3763J *3, ВС638 *3, ВС287 *1, 2SA684NC *1
КТ644Б 2N4032 *1, ВС488А *1, А5Т4028 *1, PN2907A *1, PN2905A *1, 2SB764E *3, 2SA1705R *3, 2SA1705 *3, NTE294 *1, ECG294 *1, STZT2907A *1, D41D8 *3, 2SA743 *2, FXT550 *3
КТ644В 2N5834 *3, 92PU52 *3, 2SA496 *2, BSS80 *1, BSS80B *1, RXT2907A *1, 2SA886P *2, 2SA886 *2, UMT4403 *1, UMT2907A *1, SST4403 *1, SST2907A *1, MMST4403 *1, NTE217 *1, ECG217 *1, 2N3762J *1, 2N3467L *1, 2N3467J *1, 2N3467 *1
КТ644Г BSS80C *1, TN2905 *3, 2N3486 *3, FZT2907 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ644А — 1(12.5*) Вт
КТ644Б — 1(12.5*)
КТ644В — 1(12.5*)
КТ644Г — 1(12.5*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ644А — ≥200 МГц
КТ644Б — ≥200
КТ644В — ≥200
КТ644Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ644А — 60 В
КТ644Б — 60
КТ644В — 40**
КТ644Г — 40**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ644А — 5 В
КТ644Б — 5
КТ644В — 5
КТ644Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ644А — 600(1000*) мА
КТ644Б — 600(1000*)
КТ644В — 600(1000*)
КТ644Г — 600(1000*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ644А 50 В ≤0.1 мкА
КТ644Б 50 В ≤0.1
КТ644В 50 В ≤0.1
КТ644Г 50 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ644А 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ644Б 10 В; 0.15 А 100…300*
КТ644В 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ644Г 10 В; 0.15 А 100…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ644А 10 В ≤8
 пФ
КТ644Б 10 В ≤8
КТ644В 10 В ≤8
КТ644Г 10 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ644А — ≤2.7 Ом, дБ
КТ644Б — ≤2.7
КТ644В — ≤2.7
КТ644Г — ≤2.7
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ644А — — Дб, Ом, Вт
КТ644Б — —
КТ644В — —
КТ644Г — —
КТ644Д — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ644А — ≤180* пс
КТ644Б — ≤180*
КТ644В — ≤180*
КТ644Г — ≤180*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.