Цоколевка транзистора КТ645
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ645А | 2SC478 *3, 2N4494 *2, MPS6565K *2, MPS6565M *2, MPS6565 *2, AT916 *1, AT915 *1 | |||
КТ645Б | SG322 *1, SG222 *1, 2SC3198A *2, 2SC923 *2, SG321 *3, SG221 *3, HSE401 *2, 2SC714 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ645А | — | 500(1000*) | мВт |
КТ645Б | — | 500 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ645А | — | ≥200 | МГц |
КТ645Б | — | ≥200 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ645А | — | 60 | В |
КТ645Б | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ645А | — | 4 | В |
КТ645Б | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ645А | — | 300(600*) | мА |
КТ645Б | — | 300(600*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ645А | 60 В | ≤10 | мкА |
КТ645Б | 40 В | ≤10 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ645А | 2 В; 0.15 А | 20…200* | |
КТ645Б | 10 В; 2 мА | ≥80 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ645А | 10 В | ≤5 | пФ |
КТ645Б | 10 В | ≤5 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ645А | — | ≤3.3 | Ом, дБ |
КТ645Б | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ645А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ645Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ645А | — | ≤120; ≤50* | пс, нс ,нс |
КТ645Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: