
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ660А | СС337, ВС337, ВС337-16, ВСХ70 *3, ВСХ74-16 *2, ВСХ74 *2, BCW90С *2 | |||
КТ660Б | KTN5012 *2, КТС2120 *2, BSW52 *3, ITT9013HU *2, ITT9013H *2, BSW62 *3, SO2222 *3, KSP2222 *2, BC338-40, ВС338-25 *2, 2SC2120 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ660А | — | 500 | мВт |
КТ660Б | — | 500 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ660А | — | ≥200 | МГц |
КТ660Б | — | ≥200 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ660А | — | 50 | В |
КТ660Б | — | 30 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ660А | — | 5 | В |
КТ660Б | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ660А | — | 800 | мА |
КТ660Б | — | 800 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ660А | 50 В | ≤1 | мкА |
КТ660Б | 30 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ660А | 10 В; 0.2 А | 110…220* | |
КТ660Б | 10 В; 0.2 мА | 200…450* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ660А | 10 В | ≤10 | пФ |
КТ660Б | 10 В | ≤10 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ660А | — | ≤1 | Ом, дБ |
КТ660Б | — | ≤1 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ660А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ660Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ660А | — | — | пс, нс ,нс |
КТ660Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: