
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ664А-9 | ZTX553M1 *1, ZTX553 *1 | |||
КТ664Б-9 | FXT53SM *2, ZTX552 *1, CTN640 *1, ВСХ53-6, BFT69 *1, 2SB1169А *3, ST4031 *3, ММ4031 *3, BC640 *1, 2N4029 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ664А-9 | — | 300(1000*) | мВт |
КТ664Б-9 | — | 300(1000*) | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ664А-9 | — | ≥50 | МГц |
КТ664Б-9 | — | ≥50 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ664А-9 | — | 120 | В |
КТ664Б-9 | — | 100 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ664А-9 | — | 5 | В |
КТ664Б-9 | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ664А-9 | — | 1(1.5*) | А |
КТ664Б-9 | — | 1(1.5*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ664А-9 | 100 В | ≤10 | мкА |
КТ664Б-9 | 100 В | ≤10 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ664А-9 | 2 В; 0.1 А | 40…250* | |
КТ664Б-9 | 2 В; 0.1 А | 40…250* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ664А-9 | 5 В | ≤25 | пФ |
КТ664Б-9 | 5 В | ≤25 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ664А-9 | — | ≤2.3 | Ом, дБ |
КТ664Б-9 | — | ≤2.3 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ664А-9 | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ664Б-9 | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ664А-9 | — | ≤700** | пс, нс ,нс |
КТ664Б-9 | — | ≤700** |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: