Транзистор КТ685

Цоколевка транзистора КТ685
Цоколевка транзистора КТ685

 

Параметры транзистора КТ685
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ685А BSS80B *1, A5T2907 *2, 2N2906 *1, TP2906 *3, ТР2904 *3, 2N4971 *3, GES2904
КТ685Б GES2904A, CD638 *2, ТР2904А *3
КТ685В YTS2907 *1, MPS2907, FMMT2907R *1, FMMT2907 *1, BSR15 *1, СМВТ2907 *1, MMBT2907LT1 *1, SST2907 *1, TP2907 *3, CIL298 *3, 2N4972 *3, TP2906 *3, GES2905, ТНС4403 *1, 2N4403, СМВТ4403 *1, MMBT4403LT1 *1, PMST4403 *1, KN4403, KST2907 *1, TP2905 *3
КТ685Г GES2905A, NTE2407 *1, ECG2407 *1, BSR16 *1, ТНС2907А *1, YTS2907A *1, 2N2907ACSM *1, CMST2907A *1, СМВТ2907А *1, MMBT2907LT1 *1, NTM2907A *1, FXT2907ASM *1, FXT2907A, ТР2907А *3, ТР2905А *3, MPS3645 *2, KST2907A *1, KSP2907A, FXT2907SM *1, 2SA720R *2
КТ685Д 2SA719Q *2, 2SB710 *3, MPS3702 *2, 2N3702 *2
КТ685Е PN3638 *2, PN5143 *2, KM9012 *2
КТ685Ж 2SA719S, 2SA719R, 

2SA719NC, 2SA730 *2, 2SA719 *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ685А — 0.6 Вт
КТ685Б — 0.6
КТ685В — 0.6
КТ685Г — 0.6
КТ685Д — 0.6
КТ685Е — 0.6
КТ685Ж — 0.6
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ685А — ≥200 МГц
КТ685Б — ≥200
КТ685В — ≥200
КТ685Г — ≥200
КТ685Д — ≥250
КТ685Е — ≥250
КТ685Ж — ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ685А — 60 В
КТ685Б — 60
КТ685В — 60
КТ685Г — 60
КТ685Д — 30
КТ685Е — 30
КТ685Ж — 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ685А — 5 В
КТ685Б — 5
КТ685В — 5
КТ685Г — 5
КТ685Д — 5
КТ685Е — 5
КТ685Ж — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ685А — 0.6 А
КТ685Б — 0.6
КТ685В — 0.6
КТ685Г — 0.6
КТ685Д — 0.6
КТ685Е — 0.6
КТ685Ж — 0.6
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ685А 50 В ≤0.02 мкА
КТ685Б 50 В ≤0.01
КТ685В 50 В ≤0.02
КТ685Г 50 В ≤0.01
КТ685Д 25 В ≤0.02
КТ685Е 25 В ≤0.02
КТ685Ж 25 В ≤0.02
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ685А 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ685Б 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ685В 10 В; 0.15 А 100…300*
КТ685Г 10 В; 0.15 А 100…300*
КТ685Д 1 В; 0.15 А 70…200*
КТ685Е 1 В; 0.3 А 40…120*
КТ685Ж 1 В; 0.3 А 100…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ685А 10 В ≤8
 пФ
КТ685Б 10 В ≤8
КТ685В 10 В ≤8
КТ685Г 10 В ≤8
КТ685Д 10 В ≤12
КТ685Е 10 В ≤12
КТ685Ж 10 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ685А — ≤2.6 Ом, дБ
КТ685Б — ≤2.6
КТ685В — ≤2.6
КТ685Г — ≤2.6
КТ685Д — ≤2.6
КТ685Е — ≤2.6
КТ685Ж — ≤2.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ685А — — Дб, Ом, Вт
КТ685Б — —
КТ685В — —
КТ685Г — —
КТ685Д — —
КТ685Е — —
КТ685Ж — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ685А — ≤80* пс
КТ685Б — ≤80*
КТ685В — ≤80*
КТ685Г — ≤80*
КТ685Д — ≤80*
КТ685Е — ≤150
КТ685Ж — ≤150

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.