Тринзистор КТ686

Цоколевка транзистора КТ686
Цоколевка транзистора КТ686

 

Параметры транзистора КТ686
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ686А 2SA1356Y *1, BC486A *2, BCW67AR *2, BC486L *2, BCW67A *1, BC486 *2, BCW67 *1, BCX76, BCX75-16, BCW80 *3, BCX75, BCW76 *3, BCX17R *3, BC807-16W *3, 92PU52 *3
КТ686Б BCX75-25, BCX76-25, BC807-25W *3, BCW67BR *1, BCW67B *1
КТ686В BCX76-40, BCX75-40, BC807-40W *3, BCW67CR *1, BCW67C *1
КТ686Г MPSD55 *1, KSB798 *3, BC808W *3, C055 *2, 2SA1362 *3, A5T3638A *2, MPS3638AK *2, PN3638A *2, BCX18R *3
КТ686Д BC808-25W *3, BC808-25 *1
КТ686Е BC808-40W *3, 2SA1362Y *1
КТ686Ж MPSD55 *1, KSB798 *3, BC808W *3, C055 *2, 2SA1362 *3, A5T3638A *2, MPS3638AK *2, PN3638A *2, BCX18R *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ686А — 0.625(1.4*) Вт
КТ686Б — 0.625(1.4*)
КТ686В — 0.625(1.4*)
КТ686Г — 0.625(1.4*)
КТ686Д — 0.625(1.4*)
КТ686Е — 0.625(1.4*)
КТ686Ж — 0.625(1.4*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ686А — ≥100 МГц
КТ686Б — ≥100
КТ686В — ≥100
КТ686Г — ≥100
КТ686Д — ≥100
КТ686Е — ≥100
КТ686Ж — ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ686А 0 50* В
КТ686Б 0 50*
КТ686В 0 50*
КТ686Г 0 30*
КТ686Д 0 30*
КТ686Е 0 30*
КТ686Ж 0 30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ686А — 5 В
КТ686Б — 5
КТ686В — 5
КТ686Г — 5
КТ686Д — 5
КТ686Е — 5
КТ686Ж — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ686А — 0.8(1.5*) А
КТ686Б — 0.8(1.5*)
КТ686В — 0.8(1.5*)
КТ686Г — 0.8(1.5*)
КТ686Д — 0.8(1.5*)
КТ686Е — 0.8(1.5*)
КТ686Ж — 0.8(1.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ686А 45 В ≤0.1 мкА
КТ686Б 45 В ≤0.1
КТ686В 45 В ≤0.1
КТ686Г 25 В ≤0.1
КТ686Д 25 В ≤0.1
КТ686Е 25 В ≤0.1
КТ686Ж 25 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ686А 1 В; 0.1 А 100…250*
КТ686Б  1 В; 0.1 А 160…400*
КТ686В 1 В; 0.1 А 250…630*
КТ686Г 1 В; 0.1 А 100…250*
КТ686Д 1 В; 0.1 А 160…400*
КТ686Е 1 В; 0.1 А 250…630*
КТ686Ж 1 В; 0.1 А 100…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ686А 10 В ≤12
 пФ
КТ686Б 10 В ≤12
КТ686В 10 В ≤12
КТ686Г 10 В ≤12
КТ686Д 10 В ≤12
КТ686Е 10 В ≤12
КТ686Ж 10 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ686А — ≤1.4 Ом, дБ
КТ686Б — ≤1.4
КТ686В — ≤1.4
КТ686Г — ≤1.4
КТ686Д — ≤1.4
КТ686Е — ≤1.4
КТ686Ж — ≤1.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ686А — — Дб, Ом, Вт
КТ686Б — —
КТ686В — —
КТ686Г — —
КТ686Д — —
КТ686Е — —
КТ686Ж — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ686А — — пс
КТ686Б — —
КТ686В — —
КТ686Г — —
КТ686Д — —
КТ686Е — —
КТ686Ж — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.