Транзистор КТ708

Цоколевка транзистора КТ708
Цоколевка транзистора КТ708

 

Параметры транзистора КТ708
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ708А — 5 Вт
КТ708Б — 5
КТ708В — 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ708А — ≥3 МГц
КТ708Б — ≥3
КТ708В — ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ708А 1000 имп. 100; 80* В
КТ708Б 700 имп. 80; 60*
КТ708В 500 имп. 60; 40*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ708А — 5 В
КТ708Б — 5
КТ708В — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ708А — 2 А
КТ708Б — 2
КТ708В — 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ708А — — мкА
КТ708Б — —
КТ708В — —
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ708А — ≥500
КТ708Б — ≥700
КТ708В — ≥700
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ708А — —
 пФ
КТ708Б — —
КТ708В — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ708А — ≤1 Ом, дБ
КТ708Б — ≤1
КТ708В — ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ708А — — Дб, Ом, Вт
КТ708Б — —
КТ708В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ708А — — пс
КТ708Б — —
КТ708В — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.