
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ729А | — | 150* | Вт |
| КТ729Б | — | 150* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ729А | — | ≥0.2 | МГц |
| КТ729Б | — | ≥0.2 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ729А | — | 50 | В |
| КТ729Б | — | 100 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ729А | — | 5 | В |
| КТ729Б | — | 7 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ729А | — | 30 | А |
| КТ729Б | — | 20 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ729А | 50 В | ≤2 | мА |
| КТ729Б | 100 В | ≤5 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ729А | 4 В; 15 А | 15…60* | |
| КТ729Б | 4 В; 10 А | 15…60 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ729А | — | — |
пФ |
| КТ729Б | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ729А | — | ≤0.13 | Ом, дБ |
| КТ729Б | — | ≤0.14 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ729А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ729Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ729А | — | — | пс |
| КТ729Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: