Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ801А | SDT4309 *1, BLX10 *1, SSP58B *3, 2S012A *1, 2N3144 *1, 2N3142 *1, 2N3140 *1, 2N3138 *1, PG1006 *1, ST450 *1, ST440 *1, 2S013 *1, 2S013А *3, 2SN4150 *3 | |||
КТ801Б | 2S721 *1, MJ2249 *1, SDT4308 *1, SDT4302 *1, BD635 *1, 2N1481 *3, 2N1479 *3, 2SC1419 *3, BD633 *3, SML5507 *1, SML5512 *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ801А | 55 °C | 5* | Вт |
КТ801Б | 55 °C | 5* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ801А | — | ≥10 | МГц |
КТ801Б | — | ≥10 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ801А | 0.1к | 80* | В |
КТ801Б | 0.1к | 60* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ801А | — | 2.5 | В |
КТ801Б | — | 2.5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ801А | — | 2 | А |
КТ801Б | — | 2 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ801А | 80 В | 10* | мА |
КТ801Б | 60 В | 10* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ801А | 5 В; 1 А | 15…50* | |
КТ801Б | 5 В; 1 А | 30…150* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ801А | — | — |
пФ |
КТ801Б | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ801А | — | ≤2 | Ом, дБ |
КТ801Б | — | ≤2 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ801А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ801Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ801А | — | — | пс |
КТ801Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: