
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ802А | TIP29C *3, SDT1645 *1, BU311 *1, 2N4347 *1, SK3440 *1, 2N6474 *1, 2N1648 *3, BD241D *3, BDT41C *3, 2N6466 *3, 2N6465 *3, 2N6473 *3, 2N1620 *3, 2N1618 *3, BD241C *3, SSP62C *3, BDY24 *1 | |||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ802А | — | 50* | Вт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ802А | — | ≥10; ≥20 | МГц |
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ802А | — | 150; 180 | В |
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ802А | — | 3; 5 | В |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ802А | — | 5 | А |
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ802А | 150 В | ≤60 | мА |
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ802А | 10 В; 2 А | ≥15* | |
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ802А | — | — |
пФ |
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ802А | — | ≤1 | Ом, дБ |
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ802А | — | — | Дб, Ом, Вт |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ802А | — | — | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: