Транзистор КТ803

Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805
Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805

 

Параметры транзистора КТ803
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ803А BDY17 *1, BDY23 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDW21A *3, 180T2A *3, KDY23 *3, 2N5049 *1, BD501 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ803А — 60* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ803А — ≥20 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ803А 0.1к 60* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ803А — 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ803А — 10 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ803А 70 В ≤5* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ803А 10 В; 5 А 10…70*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ803А 20 В ≤250 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ803А — ≤0.5 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ803А — — Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ803А — ≤190** пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.