Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ807А | TIP61A *3, TIP61С *1, 2S018 *1, TIP61B *1 | |||
КТ807Б | 2N2655 *1, 2N657S *1, 2S020 *1, BD171 *3, 2S019 *1 | ||||
КТ807Б(М) | 2N4923 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ807А(М) | 70 °C | 10* | Вт |
КТ807Б(М) | 70 °C | 10* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ807А(М) | — | ≥5 | МГц |
КТ807Б(М) | — | ≥5 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ807А(М) | (1к) | 100* | В |
КТ807Б(М) | (1к) | 100* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ807А(М) | — | 4 | В |
КТ807Б(М) | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ807А(М) | — | 0.5; 1.5* | А |
КТ807Б(М) | — | 0.5; 1.5* | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ807А(М) | 100 В | ≤5* | мА |
КТ807Б(М) | 100 В | ≤5* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ807А(М) | 5 В; 0.5 А | 15…45* | |
КТ807Б(М) | 5 В; 0.5 А | 30…100* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ807А(М) | — | — |
пФ |
КТ807Б(М) | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ807А(М) | — | ≤2 | Ом, дБ |
КТ807Б(М) | — | ≤2 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ807А(М) | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ807Б(М) | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ807А(М) | — | — | пс |
КТ807Б(М) | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: