Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ808АМ | 2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2 | |||
КТ808БМ | BDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2 | ||||
КТ808ВМ | MJ2841, BD313, 2N5878,
BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2 |
||||
КТ808ГМ | 2N5877, BD311, MJ2840,
BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2 |
||||
КТ808А3 | BD955, BDT41C *2 | ||||
КТ808Б3 | BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ808А | — | 50* | Вт |
КТ808А1 | — | 70* | |||
КТ808Б1 | — | 70* | |||
КТ808В1 | — | 70* | |||
КТ808Г1 | — | 70* | |||
КТ808А3 | — | 70* | |||
КТ808Б3 | — | 70* | |||
КТ808АМ | 50 °С | 60* | |||
КТ808БМ | 50 °С | 60* | |||
КТ808ВМ | 50 °С | 60* | |||
КТ808ГМ | 50 °С | 60* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ808А | — | ≥7.2 | МГц |
КТ808А1 | — | ≥8 | |||
КТ808Б1 | — | ≥8 | |||
КТ808В1 | — | ≥8 | |||
КТ808Г1 | — | ≥8 | |||
КТ808А3 | — | ≥8 | |||
КТ808Б3 | — | ≥8 | |||
КТ808АМ | — | ≥8 | |||
КТ808БМ | — | ≥8 | |||
КТ808ВМ | — | ≥8 | |||
КТ808ГМ | — | ≥8 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ808А | 200 имп. | 120* | В |
КТ808А1 | — | 130* | |||
КТ808Б1 | — | 100* | |||
КТ808В1 | — | 80* | |||
КТ808Г1 | — | 70* | |||
КТ808А3 | — | 130 | |||
КТ808Б3 | — | 100 | |||
КТ808АМ | 250 имп. | 130* | |||
КТ808БМ | 160 имп. | 100* | |||
КТ808ВМ | 150 имп. | 80* | |||
КТ808ГМ | 80 имп. | 70* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ808А | — | 4 | В |
КТ808А1 | — | 5 | |||
КТ808Б1 | — | 5 | |||
КТ808В1 | — | 5 | |||
КТ808Г1 | — | 5 | |||
КТ808А3 | — | 5 | |||
КТ808Б3 | — | 5 | |||
КТ808АМ | — | 5 | |||
КТ808БМ | — | 5 | |||
КТ808ВМ | — | 5 | |||
КТ808ГМ | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ808А | — | 10 | А |
КТ808А1 | — | 10 | |||
КТ808Б1 | — | 10 | |||
КТ808В1 | — | 10 | |||
КТ808Г1 | — | 10 | |||
КТ808А3 | — | 10(15*) | |||
КТ808Б3 | — | 10(15*) | |||
КТ808АМ | — | 10 | |||
КТ808БМ | — | 10 | |||
КТ808ВМ | — | 10 | |||
КТ808ГМ | — | 10 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ808А | 120 В | ≤3* | мкА |
КТ808А1 | 130 В | ≤2* | |||
КТ808Б1 | 100 В | ≤2* | |||
КТ808В1 | 80 В | ≤2* | |||
КТ808Г1 | 70 В | ≤2* | |||
КТ808А3 | 130 В | ≤2* | |||
КТ808Б3 | 100 В | ≤2* | |||
КТ808АМ | 120 В | ≤2* | |||
КТ808БМ | 100 В | ≤2* | |||
КТ808ВМ | 100 В | ≤2* | |||
КТ808ГМ | 70 В | ≤2* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ808А | 3 В; 6 А | 10…50* | |
КТ808А1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808Б1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808В1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808Г1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808А3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808Б3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
КТ808АМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
КТ808БМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
КТ808ВМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
КТ808ГМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ808А | 10 В | ≤500 |
пФ |
КТ808А1 | 10 В | ≤500 | |||
КТ808Б1 | 10 В | ≤500 | |||
КТ808В1 | 10 В | ≤500 | |||
КТ808Г1 | 10 В | ≤500 | |||
КТ808А3 | 100 В | ≤500 | |||
КТ808Б3 | 100 В | ≤500 | |||
КТ808АМ | 100 В | ≤500 | |||
КТ808БМ | 100 В | ≤500 | |||
КТ808ВМ | 100 В | ≤500 | |||
КТ808ГМ | 100 В | ≤500 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ808А | — | — | Ом, дБ |
КТ808А1 | — | ≤0.33 | |||
КТ808Б1 | — | ≤0.33 | |||
КТ808В1 | — | ≤0.33 | |||
КТ808Г1 | — | ≤0.33 | |||
КТ808А3 | — | — | |||
КТ808Б3 | — | — | |||
КТ808АМ | — | ≤0.33 | |||
КТ808БМ | — | ≤0.33 | |||
КТ808ВМ | ≤0.33 | ||||
КТ808ГМ | — | ≤0.33 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ808А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ808А1 | — | — | |||
КТ808Б1 | — | — | |||
КТ808В1 | — | — | |||
КТ808Г1 | — | — | |||
КТ808А3 | — | — | |||
КТ808Б3 | — | — | |||
КТ808АМ | — | — | |||
КТ808БМ | — | — | |||
КТ808ВМ | — | — | |||
КТ808ГМ | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ808А | — | ≤2000* | пс |
КТ808А1 | — | — | |||
КТ808Б1 | — | — | |||
КТ808В1 | — | — | |||
КТ808Г1 | — | — | |||
КТ808А3 | — | ≤2000* | |||
КТ808Б3 | — | ≤2000* | |||
КТ808АМ | — | ≤2000* | |||
КТ808БМ | — | ≤2000* | |||
КТ808ВМ | — | ≤2000* | |||
КТ808ГМ | — | ≤2000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: