Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ8110А | 2SC3039 *2, 2SC3890, 2SC2335R,
2SC4622, 2SC4242, 2SC4977, BUL57, NTC2335, BU104P
|
|||
КТ8110Б | 2SC3039 *2, 2SC3890, 2SC2335R,
2SC4622, 2SC4242, 2SC4977, BUL57, NTC2335, BU104P
|
||||
КТ8110В | MJE53T *2, 40851 *1, BU109P *2, 2N6498 *2, TE13005D, TE13004D | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ8110А | — | 2; 60* | Вт |
КТ8110Б | — | 2; 60* | |||
КТ8110В | — | 2; 60* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ8110А | — | ≥20 | МГц |
КТ8110Б | — | ≥20 | |||
КТ8110В | — | ≥20 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ8110А | — | 500 | В |
КТ8110Б | — | 500; 400* | |||
КТ8110В | — | 500; 350* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ8110А | — | 5 | В |
КТ8110Б | — | 5 | |||
КТ8110В | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ8110А | — | 7(14*) | А |
КТ8110Б | — | 7(14*) | |||
КТ8110В | — | 7(14*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ8110А | 500 В | ≤1000 | мА |
КТ8110Б | 400 В | ≤100 | |||
КТ8110В | 400 В | ≤100 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ8110А | 5 В; 0.8 А | 15…30* | |
КТ8110Б | 5 В; 0.8 А | 15…30* | |||
КТ8110В | 5 В; 0.8 А | 15…30* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ8110А | — | — |
пФ |
КТ8110Б | — | — | |||
КТ8110В | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ8110А | — | ≤0.2 | Ом, дБ |
КТ8110Б | — | ≤0.2 | |||
КТ8110В | — | ≤0.2 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ8110А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ8110Б | — | — | |||
КТ8110В | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ8110А | — | ≤2500* | пс |
КТ8110Б | — | ≤2500* | |||
КТ8110В | — | ≤2500* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: