Транзистор КТ8114

Цоколевка транзистора КТ8114
Цоколевка транзистора КТ8114

 

Параметры транзистора КТ8114
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ8114А BU508A, BU508D, BU2508D *2, BU2508A, BU1508AX *3, BU508DR *3, BU508DFI *2, BU508AFI *2, NTE2318 *3, NTE2300 *3, ECG2318 *3, ECG2300 *3
КТ8114Б BU508 *3, BU508AD *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8114А — 125* Вт
КТ8114Б — 125*
КТ8114В — 100*
КТ8114Г — 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8114А — — МГц
КТ8114Б — —
КТ8114В — —
КТ8114Г — —
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8114А — 1500* В
КТ8114Б — 1200*
КТ8114В — 1200*
КТ8114Г — 1500*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8114А — 6 В
КТ8114Б — 6
КТ8114В — 6
КТ8114Г — 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8114А — 8(15*) А
КТ8114Б — 8(15*)
КТ8114В — 8(15*)
КТ8114Г — 8(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8114А 1500 В ≤0.1 мА
КТ8114Б 1200 В ≤0.1
КТ8114В 1200 В ≤0.1
КТ8114Г 1500 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8114А 5 В; 0.7 А 8…40*
КТ8114Б 5 В; 0.03 А ≥6*
КТ8114В 5 В; 0.03 А ≥6*
КТ8114Г 5 В; 0.7 А 8…40*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8114А — —
 пФ
КТ8114Б — —
КТ8114В — —
КТ8114Г — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8114А — ≤0.25 Ом, дБ
КТ8114Б — ≤0.25
КТ8114В — ≤0.25
КТ8114Г — ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8114А — — Дб, Ом, Вт
КТ8114Б — —
КТ8114В — —
КТ8114Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8114А — tсп=0.5 мкс пс
КТ8114Б — tсп=0.5 мкс
КТ8114В — tсп=0.5 мкс
КТ8114Г — tсп=0.5 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.