Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ8115А | SK3897, BD902 *2, MJE6042 *1, SK3979 *1, BDX62B *1, BD702 *3, 2N6042 *2, TIP107 *2, 2SB1343 *2, 2SB1344 *2, BDW74С *2, TIP137 *2 | |||
КТ8115Б | BDX62A *1, BD900 *2, BD266A *2, 2N6299 *3, MJ901 *3, 2N6054 *3, PMD13K80 *3, TIP136 *2, MJE6041 *3 | ||||
КТ8115В | PMD13K60 *3, 2N6053 *3, MJ900 *3, BDX62 *1, 2N6298 *3, BD898A *2, BD698 *3, BD266 *2, BDW74A *2, TIP135 *2 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ8115А | — | 65* | Вт |
КТ8115Б | — | 65* | |||
КТ8115В | — | 65* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ8115А | — | ≥4 | МГц |
КТ8115Б | — | ≥4 | |||
КТ8115В | — | ≥4 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ8115А | — | 100 | В |
КТ8115Б | — | 80 | |||
КТ8115В | — | 60 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ8115А | — | 5 | В |
КТ8115Б | — | 5 | |||
КТ8115В | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ8115А | — | 8(16*) | А |
КТ8115Б | — | 8(16*) | |||
КТ8115В | — | 8(16*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ8115А | 100 В | ≤0.2 | мА |
КТ8115Б | 80 В | ≤0.2 | |||
КТ8115В | 60 В | ≤0.2 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ8115А | 3 В; 0.5…3 А | ≥1000* | |
КТ8115Б | 3 В; 0.5…3 А | ≥1000* | |||
КТ8115В | 3 В; 0.5…3 А | ≥1000* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ8115А | — | — |
пФ |
КТ8115Б | — | — | |||
КТ8115В | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ8115А | — | ≤0.7 | Ом, дБ |
КТ8115Б | — | ≤0.7 | |||
КТ8115В | — | ≤0.7 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ8115А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ8115Б | — | — | |||
КТ8115В | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ8115А | — | — | пс |
КТ8115Б | — | — | |||
КТ8115В | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: