|
|
|
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ8127А | 2SD380, 2SD2047, BU506 *1, BU506D *3, MJE8503A *3, BUH315D *3, BUH315 *3 | |||
| КТ8127Б | 2SD380, 2SD2047, BU506 *1, BU506D *3, MJE8503A *3, BUH315D *3, BUH315 *3 | ||||
| КТ8127В | MJ3480 *2, SDT41301 *2, BU208 *2, BU208B *2 | ||||
| КТ8127А(-1) | BU208A(BU508F1, 2SD1577F1), BU706D *2, BU706 *2, BU705 *2 | ||||
| КТ8127Б(-1) | BU208(BU508, 2SC3480), BU706D *2, BU706 *2, BU705 *2 | ||||
| КТ8127В(-1) | SGSF444(2SC3459), BU907 *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ8127А(-1) | — | 56* | Вт |
| КТ8127Б(-1) | — | 56* | |||
| КТ8127В(-1) | — | 56* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ8127А(-1) | — | — | МГц |
| КТ8127Б(-1) | — | — | |||
| КТ8127В(-1) | — | — | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ8127А(-1) | 100 Ом | 1500* | В |
| КТ8127Б(-1) | 100 Ом | 1500* | |||
| КТ8127В(-1) | 100 Ом | 1500* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ8127А(-1) | — | 5 | В |
| КТ8127Б(-1) | — | 5 | |||
| КТ8127В(-1) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ8127А(-1) | — | 5(7.5*) | А |
| КТ8127Б(-1) | — | 5(7.5*) | |||
| КТ8127В(-1) | — | 5(7.5*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ8127А(-1) | 1500 В | ≤0.9* | мА |
| КТ8127Б(-1) | 1800 В | ≤0.6* | |||
| КТ8127В(-1) | 1500 В | ≤0.9* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ8127А(-1) | 5 В; 0.5 А | 35*(≤35*) | |
| КТ8127Б(-1) | 5 В; 0.5 А (5 В; 0.03 А) | 35*(≤6*) | |||
| КТ8127В(-1) | 5 В; 0.5 А (5 В; 0.03 А) | 35*(≤6*) | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ8127А(-1) | — | — | пФ |
| КТ8127Б(-1) | — | — | |||
| КТ8127В(-1) | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ8127А(-1) | — | ≤0.22 | Ом, дБ |
| КТ8127Б(-1) | — | ≤1.1 | |||
| КТ8127В(-1) | — | ≤1.1 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ8127А(-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ8127Б(-1) | — | — | |||
| КТ8127В(-1) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ8127А(-1) | — | tсп≤0.7 мкс | пс |
| КТ8127Б(-1) | — | tсп≤0.7 мкс | |||
| КТ8127В(-1) | — | tсп≤0.7 мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: