| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ814А | — | TIP30 | ||
| КТ814Б | — | BD166, MJE710 | |||
| КТ814В | — | BD168, MJE711 | |||
| КТ814Г | — | BD170, MJE712 | |||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ814А | — | 1(10*) | Вт |
| КТ814Б | — | 10* | |||
| КТ814В | — | 10* | |||
| КТ814Г | — | 10* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ814А | — | ≥3 | МГц |
| КТ814Б | — | ≥3 | |||
| КТ814В | — | ≥3 | |||
| КТ814Г | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ814А | 0.1к | 40* | В |
| КТ814Б | 0.1к | 50* | |||
| КТ814В | 0.1к | 70* | |||
| КТ814Г | 0.1к | 100* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ814А | — | 5 | В |
| КТ814Б | — | 5 | |||
| КТ814В | — | 5 | |||
| КТ814Г | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ814А | — | 1.5(3*) | А |
| КТ814Б | — | 1.5(3*) | |||
| КТ814В | — | 1.5(3*) | |||
| КТ814Г | — | 1.5(3*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ814А | 40 В | ≤0.05 | мА |
| КТ814Б | 40 В | ≤0.05 | |||
| КТ814В | 40 В | ≤0.05 | |||
| КТ814Г | 40 В | ≤0.05 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ814А | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |
| КТ814Б | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |||
| КТ814В | 2 В; 0.15 А | ≥40* | |||
| КТ814Г | 2 В; 0.15 А | ≥30* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ814А | 5 В | ≤60 | пФ |
| КТ814Б | 5 В | ≤60 | |||
| КТ814В | 5 В | ≤60 | |||
| КТ814Г | 5 В | ≤60 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ814А | — | ≤1.2 | Ом, дБ |
| КТ814Б | — | ≤1.2 | |||
| КТ814В | — | ≤1.2 | |||
| КТ814Г | — | ≤1.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ814А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ814Б | — | — | |||
| КТ814В | — | — | |||
| КТ814Г | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ814А | — | — | пс |
| КТ814Б | — | — | |||
| КТ814В | — | — | |||
| КТ814Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: