Транзистор КТ815

Цоколевка транзистора КТ815
Цоколевка транзистора КТ815

 

Параметры транзистора КТ815
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ815А — BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3, DTL1651 *1, 2SD146 *1, 2SD236 *1
КТ815Б — BD167, MJE720, 2SC1419 *3, BD233 *2, BD813 *3, BD165
КТ815В — BD169, MJE721, KD235, BD815 *3, BD167, 2N1481 *1, 2N1479 *3, 2N4922 *2, 2N4911 *3, 2SD147 *3
КТ815Г — BD818, MJE722, 2N1482 *1, 2N1480 *1, BD169 *2, 2N4923, 2N4912 *3, DT41653 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ815А — 10* Вт
КТ815Б — 10*
КТ815В — 10*
КТ815Г — 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ815А — ≥3 МГц
КТ815Б — ≥3
КТ815В — ≥3
КТ815Г — ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ815А 0.1к 40* В
КТ815Б 0.1к 50*
КТ815В 0.1к 70*
КТ815Г 0.1к 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ815А — 5 В
КТ815Б — 5
КТ815В — 5
КТ815Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ815А — 1.5(3*) А
КТ815Б — 1.5(3*)
КТ815В — 1.5(3*)
КТ815Г — 1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ815А 40 В ≤0.05 мА
КТ815Б 40 В ≤0.05
КТ815В 40 В ≤0.05
КТ815Г 40 В ≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ815А 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Б 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815В 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ815Г 2 В; 0.15 А ≥30*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ815А 5 В ≤60 пФ
КТ815Б 5 В ≤60
КТ815В 5 В ≤60
КТ815Г 5 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ815А — ≤1.2 Ом, дБ
КТ815Б — ≤1.2
КТ815В — ≤1.2
КТ815Г — ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ815А — — Дб, Ом, Вт
КТ815Б — —
КТ815В — —
КТ815Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ815А — — пс
КТ815Б — —
КТ815В — —
КТ815Г — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.