Транзистор КТ816

Цоколевка транзистора КТ816
Цоколевка транзистора КТ816

 

Параметры транзистора КТ816
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ816А — BD436, TIP32, MJE2490 *1, 2N3202 *1, 2N3782 *3, 2N3208 *3, KSH32 *3, SSP64 *3, MJE370
КТ816Б — BD176, BD234, BD176, 2N5783 *1, BD242 *3, BD634 *3
КТ816В — BD178, BD236, BD178, MJE2491 *1, 2N3200 *1, 2N3202 *1, 2N3206 *3, 2N2881 *3, BD636 *3, SSP64A *3
КТ816Г — BD180, BD238, MJD32CT4 *3, MJD32C1 *3, MJD32С *3, CJD32C *3, CZT32C *3, 2N3207 *1, 2N2882 *1, KSH32 *1, NTE218 *1, ECG218 *1, BD180, 2N3201 *1, 2N3204 *1
КТ816А-2 — 2SB435U, MJE2370 *3, 2SA1217 *3, 2SB435 *3, 2SB891FR, 2SB891FQ *2, 2SB891FP *2, 2SB891F *2, BD362 *2, BD362A *2, SK3845 *2, SK3840 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ816А — 25* Вт
КТ816Б — 25*
КТ816В — 25*
КТ816Г — 25*
КТ816А-2 — 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ816А — ≥3 МГц
КТ816Б — ≥3
КТ816В — ≥3
КТ816Г — ≥3
КТ816А-2 — ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ816А 1к 40* В
КТ816Б 1к 45*
КТ816В 1к 60*
КТ816Г 1к 100*
КТ816А-2 1к 40*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ816А — 5 В
КТ816Б — 5
КТ816В — 5
КТ816Г — 5
КТ816А-2 — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ816А — 3(6*) А
КТ816Б — 3(6*)
КТ816В — 3(6*)
КТ816Г — 3(6*)
КТ816А-2 — 3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ816А 25 В ≤0.1 мА
КТ816Б 45 В ≤0.1
КТ816В 60 В ≤0.1
КТ816Г 100 В ≤0.1
КТ816А-2 25 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ816А 2 В; 1 А ≥25*
КТ816Б 2 В; 1 А ≥25*
КТ816В 2 В;1 А ≥25*
КТ816Г 2 В; 1 А ≥25*
КТ816А-2 1 В; 0.03 А ≥200*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ816А 10 В ≤60 пФ
КТ816Б 10 В ≤60
КТ816В 10 В ≤60
КТ816Г 10 В ≤60
КТ816А-2 10 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ816А — ≤0.6 Ом, дБ
КТ816Б — ≤0.6
КТ816В — ≤0.6
КТ816Г — ≤0.6
КТ816А-2 — ≤0.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ816А — — Дб, Ом, Вт
КТ816Б — —
КТ816В — —
КТ816Г — —
КТ816А-2 — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ816А — — пс
КТ816Б — —
КТ816В — —
КТ816Г — —
КТ816А-2 — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.