| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ819А | BD2921, TIP41, 2SC1354 *3, SDT9307 *3, SDT9304 *3, SDT9301 *3, TIP41 *2, SSP82 *3 | |||
| КТ819Б | BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,
BD245, 40624 *2, BD663, BD553 *2 |
||||
| КТ819В | BD201, BDT93, 2SC2098 *2, 2N5493, 2N5492,
TIP3055T, STI3055T, РН3055Т, MJE3055T, BD501A *2, 2N6099, 2N6098, BDX71, BDT91, BD535 *2, KSE3055T, BEL3055, 2N6099E
|
||||
| КТ819Г | BD203, BDT95, BD711 *2, BDW21C *1, BLY17A *3, TIP41С *2, SSP82C *3, SDT9309 *3, SDT9306 *3, SDT9303 *3, 2SC681AYL *3, 2SC681ARD *3, 2N4130 *3 | ||||
| КТ819АМ | BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1, SDT9307 *2, SDT9304 *2, SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3, 40251, 40325, 2N3055/5 | ||||
| КТ819БМ | BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2, BD743 *1, BDW51, BDW21 *2, SDT9201, BD245 *3, SDT9205 *2 | ||||
| КТ819ВМ | BD182, BDX91, BD207 *3, BDW21A *2, BD907 *1, BDS10 *1, BDS10SM | ||||
| КТ819ГМ | BD183, 2N3055, 2N6371HV,
BD711 *3, BDW21C *2, SDT9208, 2N3055/7, 2N3055/6, 2N3239 *2, 2N3238 *2, BD909 *3, BDW21B *2, SDT9207 *2 |
||||
| КТ819А-1 | BD545C, MJE1660 *2, BLV38 *3 | ||||
| КТ819Б-1 | BD545B, 2N3667 *1, 2N6253 *1, BD278 *3, BD278A *3, BD743 *1, BD705 *1 | ||||
| КТ819В-1 | BD545A, 40363 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDS10SM *1, BDS10 *1, BD907 *1 | ||||
| КТ819Г-1 | BD545, 2N3236 *1, 2N3239 *3, 2N3238 *3, BD909 *1, BD709 *3, SDT9207 *3, SM2176 *1 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ819А | — | 1.5; 60* | Вт |
| КТ819Б | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819В | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819Г | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819АМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819БМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819ВМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819ГМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819А-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819Б-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819В-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819Г-1 | — | 2; 100* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ819А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
| КТ819Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ819В(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ819А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
| КТ819Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
| КТ819В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
| КТ819Г(М) | 0.1к | 100* | |||
| КТ819Г-1 | 0.1к | 90* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ819А(М,-1) | — | 5 | В |
| КТ819Б(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ819В(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ819А | — | 10(15*) | А |
| КТ819Б | — | 10(15*) | |||
| КТ819В | — | 10(15*) | |||
| КТ819Г | — | 10(15*) | |||
| КТ819АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819ГМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ819А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
| КТ819Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ819В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ819Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ819А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
| КТ819Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
| КТ819В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
| КТ819Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ819А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
| КТ819Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ819В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ819Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ819А(М) | — | ≤0.4 | Ом, дБ |
| КТ819Б(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819В(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819Г(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819А-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819Б-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819В-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819Г-1 | — | ≤1 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ819А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ819Б(М,-1) | — | — | |||
| КТ819В(М,-1) | — | — | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ819А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
| КТ819Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ819В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | ≤2500** |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: