
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ822А-1 | BD634 *1, 2N3205 *1, 2N3208 *1 | |||
| КТ822Б-1 | 2N3206 *1, SDT3576 *1, 2N2881 *3 | ||||
| КТ822В-1 | 2N3207 *1, 2N2882 *3, NTA1008 *1 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ822А-1 | — | 20* | Вт |
| КТ822Б-1 | — | 20* | |||
| КТ822В-1 | — | 20* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ822А-1 | — | ≥3 | МГц |
| КТ822Б-1 | — | ≥3 | |||
| КТ822В-1 | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ822А-1 | 0.1к | 45* | В |
| КТ822Б-1 | 0.1к | 60* | |||
| КТ822В-1 | 0.1к | 100* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ822А-1 | — | 5 | В |
| КТ822Б-1 | — | 5 | |||
| КТ822В-1 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ822А-1 | — | 2(4*) | А |
| КТ822Б-1 | — | 2(4*) | |||
| КТ822В-1 | — | 2(4*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ822А-1 | 40 В | ≤50 | мкА |
| КТ822Б-1 | 40 В | ≤50 | |||
| КТ822В-1 | 40 В | ≤50 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ822А-1 | 2 В; 1 А | ≥25* | |
| КТ822Б-1 | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ822В-1 | 2 В;1 А | ≥25* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ822А-1 | 10 В | ≤115 | пФ |
| КТ822Б-1 | 10 В | ≤115 | |||
| КТ822В-1 | 10 В | ≤115 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ822А-1 | — | ≤0.6 | Ом, дБ |
| КТ822Б-1 | — | ≤0.6 | |||
| КТ822В-1 | — | ≤0.6 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ822А-1 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ822Б-1 | — | — | |||
| КТ822В-1 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ822А-1 | — | — | пс |
| КТ822Б-1 | — | — | |||
| КТ822В-1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: