Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ8232А1 | ST6060 *1, IR6060 *1, BU941ZP *3, BU941ZT *3, BU941ZSM *3, BU941ZPFI *3, BU941ZTFI *3, BU920P *2 | |||
КТ8232Б1 | IDI8002 *3, GT8002 *3, IDI8005 *3, RCA9201C *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ8232А1 | — | 125* | Вт |
КТ8232Б1 | — | 125* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ8232А1 | — | — | МГц |
КТ8232Б1 | — | — | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ8232А1 | — | 350 | В |
КТ8232Б1 | — | 350 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ8232А1 | — | 5 | В |
КТ8232Б1 | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ8232А1 | — | 20 | А |
КТ8232Б1 | — | 20 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ8232А1 | — | — | мА |
КТ8232Б1 | — | — | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ8232А1 | 10 В; 5 А | 300..8000 | |
КТ8232Б1 | 10 В; 5 А | 300…8000 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ8232А1 | 100 В | — | пФ |
КТ8232Б1 | 100 В | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ8232А1 | — | ≤0.18 | Ом, дБ |
КТ8232Б1 | — | ≤0.18 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ8232А1 | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ8232Б1 | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ8232А1 | — | — | пс |
КТ8232Б1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: