Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ825Г | BDX62A, MJ4031, 2N6286,
PMD1702K, SK9439 *2, 2N6051 *2, BDW84B *2 |
|||
КТ825Д | BDX62, MJ2500, PMD1701К, 2N6285 | ||||
КТ825Е | BDX86 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ825Г | — | 125* | Вт |
КТ825Д | — | 125* | |||
КТ825Е | — | 125* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ825Г | — | ≥4 | МГц |
КТ825Д | — | ≥4 | |||
КТ825Е | — | ≥4 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ825Г | 0.1к | 90* | В |
КТ825Д | 0.1к | 60* | |||
КТ825Е | 0.1к | 30* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ825Г | — | 5 | В |
КТ825Д | — | 5 | |||
КТ825Е | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ825Г | — | 20(30*) | А |
КТ825Д | — | 20(30*) | |||
КТ825Е | — | 20(30*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ825Г | 90 В | ≤1* | мА |
КТ825Д | 60 В | ≤1* | |||
КТ825Е | 30 В | ≤1* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ825Г | 10 В; 10 А | ≥750* | |
КТ825Д | 10 В; 10 А | ≥750* | |||
КТ825Е | 10 В; 10 А | ≥750* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ825Г | 10 В | ≤600 | пФ |
КТ825Д | 10 В | ≤600 | |||
КТ825Е | 10 В | ≤600 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ825Г | — | ≤0.4 | Ом, дБ |
КТ825Д | — | ≤0.4 | |||
КТ825Е | — | ≤0.4 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ825Г | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ825Д | — | — | |||
КТ825Е | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ825Г | — | ≤4.5**мкс | пс |
КТ825Д | — | ≤4.5**мкс | |||
КТ825Е | — | ≤4.5**мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: