Транзистор КТ826

Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826
Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826

 

Параметры транзистора КТ826
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ826А BU132, 2SC1101 *2, KSE13003 *3, CJD13003 *3
КТ826Б 2SD312, STI1701 *2, STI6006 *2, BU132 *2, STI13002 *2
КТ826В BU132, 2SC1101 *2, KSE13003 *3, CJD13003 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ826А 50  °C 15* Вт
КТ826Б 50  °C 15*
КТ826В 50  °C 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ826А — ≥6 МГц
КТ826Б — ≥6
КТ826В — ≥6
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ826А 0.01к 700* В
КТ826Б 0.01к 700*
КТ826В 0.01к 700*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ826А — 5 В
КТ826Б — 5
КТ826В — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ826А — 1 А
КТ826Б — 1
КТ826В — 1
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ826А 700 В ≤2 мА
КТ826Б 700 В ≤2
КТ826В 700 В ≤2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ826А 10 В; 0.1 А 10..120*
КТ826Б 10 В; 0.1 А 5…300*
КТ826В 10 В; 0.1 А 5…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ826А 100 В ≤25 пФ
КТ826Б 100 В ≤25
КТ826В 100 В ≤25
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ826А — ≤5 Ом, дБ
КТ826Б — ≤5
КТ826В — ≤5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ826А — — Дб, Ом, Вт
КТ826Б — —
КТ826В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ826А — tсп≤1500 пс
КТ826Б — tсп≤700
КТ826В — tсп≤700

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.