Транзистор КТ828

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828
Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ828
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ828А BU326A, BU209A, 

SDT804,

BU209, SDT704 *2, BU206 *2, SDT802, SDT702 *2, BU208B *2, BU208
КТ828Б 2SD640, BU207, BU204 *2
КТ828В BUX97B, BU209A, 

SDT804,

BU209, SDT704 *2, BU206 *2, SDT802, SDT702 *2, BU208B *2, BU208
КТ828Г 2SD640,  BU207, BU204 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ828А 50 °С 50* Вт
КТ828Б — 50*
КТ828В 50 °С 50*
КТ828Г — 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ828А — ≥4 МГц
КТ828Б — ≥4
КТ828В — ≥4
КТ828Г — ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ828А 0.01к 800* В
КТ828Б 0.01к 600*
КТ828В 0.01к 800*
КТ828Г 0.01к 600*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ828А — 5 В
КТ828Б — 5
КТ828В — 5
КТ828Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ828А — 5(7.5*) А
КТ828Б — 5(7.5*)
КТ828В — 5(7.5*)
КТ828Г — 5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ828А 1400 В ≤5 мА
КТ828Б 1200 В ≤5
КТ828В 800 В ≤5
КТ828Г 600 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ828А 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828Б 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828В 5 В; 4.5 А ≥2.25*
КТ828Г 5 В; 4.5 А ≥2.25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ828А — — пФ
КТ828Б — —
КТ828В — —
КТ828Г — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ828А — ≤0.66 Ом, дБ
КТ828Б — ≤0.66
КТ828В — ≤0.66
КТ828Г — ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ828А — — Дб, Ом, Вт
КТ828Б — —
КТ828В — —
КТ828Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ828А — ≤10* пс
КТ828Б — ≤10*
КТ828В — ≤10*
КТ828Г — ≤10*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.