Транзистор КТ829

Цоколевка транзистора КТ829
Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

 

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

 

Параметры транзистора КТ829
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ829А BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
КТ829Б BD267A, BD263, TIP121, 

BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2

КТ829В BD331, TIP120, BD897A,

BD897, BDW23A, ТIР120 *2

КТ829Г BD665, BD675, BD895A,

BD895, BDW23, BDW73, 

BDW63 *2, BD695 *1

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ829А 60* Вт
КТ829Б 60*
КТ829В 60*
КТ829Г 60*
КТ829АТ 50
КТ829АП 50
КТ829АМ 60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ829А ≥4 МГц
КТ829Б ≥4
КТ829В ≥4
КТ829Г ≥4
КТ829АТ ≥4
КТ829АП ≥4
КТ829АМ ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ829А 100* В
КТ829Б 80*
КТ829В 60*
КТ829Г 45*
КТ829АТ 100
КТ829АП 160
КТ829АМ 240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ829А 5 В
КТ829Б 5
КТ829В 5
КТ829Г 5
КТ829АТ 5
КТ829АП 5
КТ829АМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ829А 8(12*) А
КТ829Б 8(12*)
КТ829В 8(12*)
КТ829Г 8(12*)
КТ829АТ 5
КТ829АП 5
КТ829АМ 8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ829А 100 В ≤1.5* мА
КТ829Б 80 В ≤1.5*
КТ829В 60 В ≤1.5*
КТ829Г 60 В ≤1.5*
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ829А 3 В; 3 А ≥750*
КТ829Б 3 В; 3 А ≥750*
КТ829В 3 В; 3 А ≥750*
КТ829Г 3 В; 3 А ≥750*
КТ829АТ ≥1000
КТ829АП ≥700
КТ829АМ 400…3000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ829А ≤120 пФ
КТ829Б ≤120
КТ829В ≤120
КТ829Г ≤120
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ829А ≤0.57 Ом, дБ
КТ829Б ≤0.57
КТ829В ≤0.57
КТ829Г ≤0.57
КТ829АТ ≤0.3
КТ829АП ≤0.25
КТ829АМ ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ829А Дб, Ом, Вт
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ829А пс
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Входные характеристики
Входные характеристики

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор - эмиттер от Iк/Iб
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

Область максимальных режимов
Область максимальных режимов

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.