Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

 

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
		КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
		КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
		КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
		КТ829Б	—	60*
		КТ829В	—	60*
		КТ829Г	—	60*
		КТ829АТ	—	50
		КТ829АП	—	50
		КТ829АМ	—	60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ829А	—	≥4	МГц
		КТ829Б	—	≥4
		КТ829В	—	≥4
		КТ829Г	—	≥4
		КТ829АТ	—	≥4
		КТ829АП	—	≥4
		КТ829АМ	—	≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ829А	1к	100*	В
		КТ829Б	1к	80*
		КТ829В	1к	60*
		КТ829Г	1к	45*
		КТ829АТ	—	100
		КТ829АП	—	160
		КТ829АМ	—	240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ829А	—	5	В
		КТ829Б	—	5
		КТ829В	—	5
		КТ829Г	—	5
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ829А	—	8(12*)	А
		КТ829Б	—	8(12*)
		КТ829В	—	8(12*)
		КТ829Г	—	8(12*)
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ829А	100 В	≤1.5*	мА
		КТ829Б	80 В	≤1.5*
		КТ829В	60 В	≤1.5*
		КТ829Г	60 В	≤1.5*
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ829А	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Б	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829В	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Г	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829АТ	—	≥1000
		КТ829АП	—	≥700
		КТ829АМ	—	400…3000
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ829А	—	≤120	пФ
		КТ829Б	—	≤120
		КТ829В	—	≤120
		КТ829Г	—	≤120
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ829А	—	≤0.57	Ом, дБ
		КТ829Б	—	≤0.57
		КТ829В	—	≤0.57
		КТ829Г	—	≤0.57
		КТ829АТ	—	≤0.3
		КТ829АП	—	≤0.25
		КТ829АМ	—	≤0.66
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ829А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ829А	—	—	пс
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.