Транзистор КТ830

Цоколевка транзистора КТ830
Цоколевка транзистора КТ830

 

Параметры транзистора КТ830
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог 2Т830А 2N3660
2Т830Б 2N1085, BD634 *3
2Т830В 2N2881 *2, 2SB563 *3, MJ2253 *3, SDT3576 *3, SDT3553 *2, SDT3550 *2
2Т830Г SDT3554, SDT3551, 2N3776 *2
КТ830А 2N5781, 2N4234
КТ830Б 2N4235
КТ830В 2N4236, SML3552
КТ830Г 2N4236
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ830А — 5* Вт
КТ830Б — 5*
КТ830В — 5*
КТ830Г — 5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ830А — ≥4 МГц
КТ830Б — ≥4
КТ830В — ≥4
КТ830Г — ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ830А — 35 В
КТ830Б — 60
КТ830В — 80
КТ830Г — 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ830А — 5 В
КТ830Б — 5
КТ830В — 5
КТ830Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ830А — 2; 4* А
КТ830Б — 2; 4*
КТ830В — 2; 4*
КТ830Г — 2; 4*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ830А 35 В ≤0.1 мА
КТ830Б 60 В ≤0.1
КТ830В 80 В ≤0.1
КТ830Г 100 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ830А 1 В; 1 А ≥20*
КТ830Б 1 В; 1 А ≥20*
КТ830В 1 В; 1 А ≥20*
КТ830Г 1 В; 1 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ830А — — пФ
КТ830Б — —
КТ830В — —
КТ830Г — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ830А — ≤1.2 Ом, дБ
КТ830Б — ≤1.2
КТ830В — ≤1.2
КТ830Г — ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ830А — — Дб, Ом, Вт
КТ830Б — —
КТ830В — —
КТ830Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ830А — ≤1000* пс
КТ830Б — ≤1000*
КТ830В — ≤1000*
КТ830Г — ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.