Транзистор КТ831

Цоколевка транзистора КТ831
Цоколевка транзистора КТ831

 

Параметры транзистора КТ831
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог 2Т831А MJE520 *3, 2SD236 *3
2Т831Б BD633 *3, 2SC1419 *3, 40347V1 *2, 2N1700 *2, SDT4307 *2, SDT4301 *2
2Т831В 2S012A *1, MJ2249 *3, SDT4308 *2, SDT4302 *2, BD635 *3, 2N1479 *2
2Т831Г BD637 *3, BLX11, 2N3220 *3, SDT4309 *2, SDT4303 *2, BLX10 *2
КТ831А 2N4300
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ831А — 5 Вт
КТ831Б — 5
КТ831В — 5
КТ831Г — 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ831А — ≥4 МГц
КТ831Б — ≥4
КТ831В — ≥4
КТ831Г — ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ831А — 35 В
КТ831Б — 60
КТ831В — 80
КТ831Г — 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ831А — 12 В
КТ831Б — 5
КТ831В — 5
КТ831Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ831А — 2 А
КТ831Б — 2
КТ831В — 2
КТ831Г — 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ831А — — мА
КТ831Б — —
КТ831В — —
КТ831Г — —
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ831А — ≥2
КТ831Б — ≥5
КТ831В — ≥25
КТ831Г — ≥20
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ831А — — пФ
КТ831Б — —
КТ831В — —
КТ831Г — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ831А — ≤0.6 Ом, дБ
КТ831Б — ≤0.6
КТ831В — ≤0.6
КТ831Г — ≤0.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ831А — — Дб, Ом, Вт
КТ831Б — —
КТ831В — —
КТ831Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ831А — ≤1000* пс
КТ831Б — ≤1000*
КТ831В — ≤1000*
КТ831Г — ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.