Транзистор КТ835

Цоколевка транзистора КТ835
Цоколевка транзистора КТ835

 

Параметры транзистора КТ835
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ835А 2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1
КТ835Б BD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ835А — 25* Вт
КТ835Б — 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ835А — ≥1 МГц
КТ835Б — ≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ835А — 30 В
КТ835Б — 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ835А — 4 В
КТ835Б — 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ835А — 3 А
КТ835Б — 7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ835А 30 В ≤0.1 мА
КТ835Б 45 В ≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ835А 1 В; 1 А ≥25*
КТ835Б 5 В; 2 А 10…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ835А 10 В ≤800 пФ
КТ835Б 10 В ≤800
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ835А — ≤0.35 Ом, дБ
КТ835Б — ≤0.8
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ835А — — Дб, Ом, Вт
КТ835Б — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ835А — — пс
КТ835Б — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.