Транзистор КТ836

Цоколевка транзистора КТ836
Цоколевка транзистора КТ836

 

Параметры транзистора КТ836
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ836А 2N3204
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ836А — 5 Вт
КТ836Б — 5
КТ836В — 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ836А — ≥4 МГц
КТ836Б — ≥4
КТ836В — ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ836А — 90 В
КТ836Б — 85
КТ836В — 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ836А — 5 В
КТ836Б — 5
КТ836В — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ836А — 3 А
КТ836Б — 3
КТ836В — 3
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ836А 90 В ≤0.1 мА
КТ836Б 85 В ≤0.1
КТ836В 60 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ836А — 20…100
КТ836Б — 20…100
КТ836В — 20…100
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ836А — — пФ
КТ836Б — —
КТ836В — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ836А — ≤0.3 Ом, дБ
КТ836Б — ≤0.018
КТ836В — ≤0.022
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ836А — — Дб, Ом, Вт
КТ836Б — —
КТ836В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ836А — tсп≤1.2 мкс пс
КТ836Б — tсп≤1.2 мкс
КТ836В — tсп≤1.2 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.