Транзистор КТ839

Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840
Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840

 

Параметры транзистора КТ839
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ839А MJ3480, 2SD380, THD215HI *1, 2SC4111 *3, NTE2318 *3, ECG2318 *3, ECG2300 *3, BUH515D *3, BUH615D *3, 2SD792 *2, 2SD1732 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ839А — 50* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ839А — ≥5 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ839А — 1500 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ839А — 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ839А — 10 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ839А 1500 В ≤1 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ839А (10 В; 4 А) ≥5*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ839А 10 В 240 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ839А — ≤0.375 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ839А — — Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ839А — ≤10* мкс; tсп≤1.5  пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.