
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ840А | 2N6543, BU326A, BUF642 *3, BUT18 *1, 2N6222, BULK380D *3, 2SC2437, 2SC2656 *3, 2SC2542 *3, 2SC3317 *3 | |||
| КТ840Б | BUI26, 2N6542, BUX97, SK3439A *2, 2N6308 *2 | ||||
| КТ840В | BU326. 2N5805, BUT93 *3, BUV93 *3, 2N5805 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ840А | — | 60* | Вт |
| КТ840Б | — | 60* | |||
| КТ840В | — | 60* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ840А | — | ≥8 | МГц |
| КТ840Б | — | ≥8 | |||
| КТ840В | — | ≥8 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ840А | — | 400*; 900 | В |
| КТ840Б | — | 350*; 700 | |||
| КТ840В | — | 375*; 800 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ840А | — | 5 | В |
| КТ840Б | — | 5 | |||
| КТ840В | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ840А | — | 6(8*) | А |
| КТ840Б | — | 6(8*) | |||
| КТ840В | — | 6(8*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ840А | 900 В | ≤3 | мА |
| КТ840Б | 750 В | ≤3 | |||
| КТ840В | 800 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ840А | (2.5 В; 8 А) | 10…60* | |
| КТ840Б | (2.5 В; 8 А) | ≥10* | |||
| КТ840В | (2.5 В; 8 А) | 10…100* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ840А | — | — | пФ |
| КТ840Б | — | — | |||
| КТ840В | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ840А | — | ≤0.75 | Ом, дБ |
| КТ840Б | — | ≤0.75 | |||
| КТ840В | — | ≤0.24 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ840А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ840Б | — | — | |||
| КТ840В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ840А | — | tсп≤0.6 | пс |
| КТ840Б | — | tсп≤0.6 | |||
| КТ840В | — | ≤3500* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: