
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ841А | BDX96, 2N6560, 2SC2122 *2, BUX17C, NTE385 *2, 2N6582 *2, 2N6579 *2, TIP560 *2, ST560 *2, SDT13302 *2, ST13014, BDY96 *2 | |||
КТ841Б | 2SC2122, 2SC1308, TIP558 *2, ST558, 2SC1870, STI515,
IR515, DTS515, 2N6511 *2, 2SC1867 *2, BUY77 *2 |
||||
КТ841В | MJ10002, 2SC2122 *2, BUX17C, NTE385 *2, 2N6582 *2, 2N6579 *2, TIP560 *2, ST560 *2, SDT13302 *2, ST13014, BDY96 *2 | ||||
КТ841Г | UPT315, BDX96, 2N6262,
SDT7736, BU110 *2 |
||||
КТ841Д | 2SD418, 2SC2139, BUX14,
2SC2818H, 2SC2818, 2SC2293, 2SC2139, 2SC1228, 2SC2292 *2, TIP537 *2, ST537 *2 |
||||
КТ841Е | BUW35, 2N6622, STI425,
STI402, 2SC2245, 2SC2437 *2, 2SC2139A, 2SC1871A, 2N6583, 2N6580 |
||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ841А | — | 3(50*) | Вт |
КТ841Б | — | 3(50*) | |||
КТ841В | — | 3(50*) | |||
КТ841Г | — | 100* | |||
КТ841Д | — | 100* | |||
КТ841Е | — | 50* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ841А | — | ≥10 | МГц |
КТ841Б | — | ≥10 | |||
КТ841В | — | ≥10 | |||
КТ841Г | — | ≥7 | |||
КТ841Д | — | ≥5 | |||
КТ841Е | — | ≥7 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ841А | — | 600 | В |
КТ841Б | — | 400 | |||
КТ841В | — | 600 | |||
КТ841Г | — | 200 | |||
КТ841Д | — | 500 | |||
КТ841Е | — | 800 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ841А | — | 5 | В |
КТ841Б | — | 5 | |||
КТ841В | — | 5 | |||
КТ841Г | — | 5 | |||
КТ841Д | — | 5 | |||
КТ841Е | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ841А | — | 10(15*) | А |
КТ841Б | — | 10(15*) | |||
КТ841В | — | 10(15*) | |||
КТ841Г | — | 10(15*) | |||
КТ841Д | — | 10(15*) | |||
КТ841Е | — | 10(15*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ841А | 600 В | ≤3 | мА |
КТ841Б | 400 В | ≤3 | |||
КТ841В | 600 В | ≤3 | |||
КТ841Г | 200 В | ≤3 | |||
КТ841Д | 500 В | ≤3 | |||
КТ841Е | 800 В | ≤3 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ841А | 5 В; 5 А | ≥12* | |
КТ841Б | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
КТ841В | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
КТ841Г | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
КТ841Д | 5 В; 2 А | ≥20* | |||
КТ841Е | 5 В; 5 А | ≥10* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ841А | 10 В | ≤300 | пФ |
КТ841Б | 10 В | ≤300 | |||
КТ841В | 10 В | ≤300 | |||
КТ841Г | 10 В | ≤300 | |||
КТ841Д | 10 В | ≤300 | |||
КТ841Е | 10 В | ≤300 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ841А | — | ≤0.3 | Ом, дБ |
КТ841Б | — | ≤0.3 | |||
КТ841В | — | ≤0.3 | |||
КТ841Г | — | ≤0.3 | |||
КТ841Д | — | ≤0.3 | |||
КТ841Е | — | ≤0.3 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ841А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ841Б | — | — | |||
КТ841В | — | — | |||
КТ841Г | — | — | |||
КТ841Д | — | — | |||
КТ841Е | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ841А | — | ≤1000* | пс |
КТ841Б | — | ≤1000* | |||
КТ841В | — | ≤1000* | |||
КТ841Г | — | ≤1000* | |||
КТ841Д | — | ≤1000* | |||
КТ841Е | — | ≤1000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: