Транзистор КТ842

Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843
Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843

 

Параметры транзистора КТ842
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ842А 2SB506A, АР1024 *3, АР1035, АР1043 *2, МJ15021 *2, АР1045 *2, АР1044 *2
КТ842Б TIP519, МJ15019 *2, 2N6228 *2, TIP546 *2
КТ842В MJ410, МJ15019 *2, 2SB506A *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ842А — 3(50*) Вт
КТ842Б — 3(50*)
КТ842В — 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ842А — ≥20 МГц
КТ842Б — ≥20
КТ842В — ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ842А — 300 В
КТ842Б — 200
КТ842В — 200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ842А — 5 В
КТ842Б — 5
КТ842В — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ842А — 5(10*) А
КТ842Б — 5(10*)
КТ842В — 5(10*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ842А 300 В ≤1 мА
КТ842Б 200 В ≤1
КТ842В 200 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ842А 4 В; 5 А ≥15*
КТ842Б 4 В; 5 А ≥15*
КТ842В 4 В; 5 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ842А 10 В 250 пФ
КТ842Б 10 В 250
КТ842В 10 В 250
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ842А — ≤0.36 Ом, дБ
КТ842Б — ≤0.36
КТ842В — ≤0.44
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ842А — — Дб, Ом, Вт
КТ842Б — —
КТ842В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ842А — 800* пс
КТ842Б — 800*
КТ842В — 800*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.